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PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vaper Deposition）是等離子增強化學(xué)氣相淀積，該技術(shù)是在低氣壓下，利用低溫等離子體在工藝腔體的陰極上（即樣品放置的托盤(pán)）產(chǎn)生輝光放電，利用輝光放電（或另加發(fā)熱體）使樣品升溫到預定的溫度，然后通入適量的工藝氣體，這些氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應和等離子體反應，最終在樣品表面形成固態(tài)薄膜。

所謂等離子體，是指氣體在一定條件下受到高能激發(fā)，發(fā)生電離，部分外層電子脫離原子核，形成電子、正離子和中性粒子混合組成的一種形態(tài)，這種形態(tài)就稱(chēng)為等離子態(tài)。

         PECVD的工藝原理：在反應過(guò)程中，反應氣體從進(jìn)氣口進(jìn)入爐腔，逐漸擴散至樣品表面，在射頻源激發(fā)的電場(chǎng)作用下，反應氣體分解成電子、離子和活性基團等。這些分解物發(fā)生化學(xué)反應，生成形成膜的初始成分和副反應物，這些生成物以化學(xué)鍵的形式吸附到樣品表面，生成固態(tài)膜的晶核，晶核逐漸生長(cháng)成島狀物，島狀物繼續生長(cháng)成連續的薄膜。在薄膜生長(cháng)過(guò)程中，各種副產(chǎn)物從膜的表面逐漸脫離，在真空泵的作用下從出口排出。

        首先，在非平衡等離子體中，電子與反應氣體發(fā)生初級反應，使得反應氣體發(fā)生分解，形成離子和活性基團的混合物；其次，各種活性基團向薄膜生長(cháng)表面和管壁擴散運輸，同時(shí)發(fā)生各反應物之間的次級反應；最后，達到生長(cháng)表面的各種初級反應和次級反應產(chǎn)物被吸附并與表面發(fā)生反應，同時(shí)伴隨有氣相分子物的再放出。

PECVD的優(yōu)勢：

1、基本溫度低（300-500°C）；

2、沉積速率快；

3、成膜質(zhì)量好，針孔少，不易龜裂