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碳化硅單晶生長(cháng)之后是晶碇，而且具有表面缺陷，是沒(méi)法直接用于外延的，這就需要加工。其中，滾圓把晶碇做成標準的圓柱體，線(xiàn)切割會(huì )把晶碇切割成晶片，各種表征保證加工的方向，而拋光則是提高晶片的質(zhì)量。晶片的表面會(huì )有損傷，損傷源于本來(lái)晶體生長(cháng)的缺陷、前面加工步驟中的破壞。

SiC表面的損傷層可以通過(guò)四種方法去除：

1.機械拋光，簡(jiǎn)單但會(huì )殘留劃痕，適用于初拋；

2.化學(xué)機械拋光（Chemical Mechanical Polishing，CMP），引入化學(xué)腐蝕去除劃痕，適用于精拋；

3.氫氣刻蝕，設備復雜，常用于HTCVD過(guò)程；

4.等離子輔助拋光，設備復雜，不常用。

單純的機械拋光會(huì )產(chǎn)生劃痕，單純的化學(xué)拋光產(chǎn)生非均勻腐蝕，綜合為化學(xué)機械拋光則物美價(jià)廉。CMP的工作原理：旋轉的晶片/晶圓以一定的壓力壓在旋轉的拋光墊上做相對運動(dòng)，借助拋光液中納米磨料的機械研磨作用與各類(lèi)化學(xué)試劑的化學(xué)作用的結合來(lái)實(shí)現平坦化要求。

這一過(guò)程中應用到的材料主要包括拋光液和拋光墊。拋光墊使用后會(huì )產(chǎn)生變形，表面變得光滑，孔隙減少和被堵塞，使拋光速率下降，必須進(jìn)行修整來(lái)恢復其粗糙度，改善傳輸拋光液的能力，一般采用鉆石修整器修整。

知道需要化學(xué)+機械來(lái)拋光后，典型的化學(xué)機械拋光過(guò)程如下：

第一步，機械拋光。用0.5um直徑的金剛石拋光液，拋光表面粗糙度至0.7nm。

第二步，化學(xué)機械拋光。

1.拋光機：AP-810型單面拋光機；

2.拋光壓力200g/c㎡；

3.大盤(pán)轉速50r/min；

4.陶瓷盤(pán)轉速38r/min；

5.拋光液組成：以SiO2（30wt%、pH=10.15）為基礎，加入0-70wt%的雙氧水（30wt%、純優(yōu)級），最后用KOH（5wt%）、HNO3（1wt%）調節pH=8.5；

6.拋光液流量3L/min，循環(huán)使用。