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對于更緊密的幾何形狀和更薄的薄膜，需要在蝕刻速率與對其他操作參數的良好控制之間取得平衡。

“隨著(zhù)設計規則的縮小，許多蝕刻工藝正在轉向非?？焖俚牡入x子體蝕刻工藝步驟，這需要對所有反應輸入進(jìn)行高度精確的控制：功率、壓力、化學(xué)和溫度，”Finch 說(shuō)，并指出優(yōu)化等離子體的趨勢脈沖行為產(chǎn)生特定的離子與中性比，然后清除副產(chǎn)物?！按祟?lèi)條件的高級建模對于實(shí)現進(jìn)一步的設備縮放至關(guān)重要?！?

一段時(shí)間以來(lái)，蝕刻系統制造商一直在使用建模軟件來(lái)加快下一個(gè)節點(diǎn)的開(kāi)發(fā)或提高產(chǎn)量?？紤]到該過(guò)程及其所有變量的絕對復雜性，這并不奇怪。

“在開(kāi)發(fā)下一節點(diǎn)技術(shù)時(shí)，根本沒(méi)有足夠的時(shí)間或足夠的晶圓來(lái)執行所有可能的工藝實(shí)驗，”Finch 說(shuō)?！拔g刻設備設置組合的數量可能達到數百萬(wàn)，甚至數十億，使用所有工藝可能性的強力晶圓開(kāi)發(fā)是根本不可能的?！?

當然，所有好的模型都是在實(shí)際芯片上驗證的?！耙粋€(gè)準確的模型應該具有預測性，它應該解決用戶(hù)想要解決的目標問(wèn)題，”Finch說(shuō)?！懊看胃鶕M工作推薦工藝或設計變更時(shí)，實(shí)際的晶圓廠(chǎng)數據應該反映推薦的結果。在我們的案例中，我們已經(jīng)能夠使用基于模型的結果準確預測流程變化的影響，并快速解決困難的流程和技術(shù)開(kāi)發(fā)問(wèn)題?！?

工具供應商還致力于先進(jìn)的蝕刻工藝，以更緊密地集成生產(chǎn)線(xiàn)，并將曾經(jīng)的雙掩模級工藝（兩個(gè)光刻步驟）轉變?yōu)橐粋€(gè)工藝，以簡(jiǎn)化工藝并降低成本。

Bézard 說(shuō)：“公司沒(méi)有采用現有的硬件來(lái)讓瑞士軍刀裝備得更好，而是引入了特定于應用程序的技術(shù)，例如解決尖端問(wèn)題的新系統?！?目的是使彼此面對的兩條線(xiàn)靠得更近，目前這涉及線(xiàn)圖案化步驟，然后是切割掩模?！皯貌牧瞎竞推渌菊谕瞥龅氖且环N在水平方向上直接蝕刻的方法?！?這樣的過(guò)程也可以加寬通孔。