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曝光：在光刻膠膜中發(fā)生的化學(xué)過(guò)程導致其在顯影液中溶解度的增加(正膠)或減少(負膠)，從而可以產(chǎn)生出特定結構光刻膠膜。

基于DNQ-基光引發(fā)劑的正膠和圖形反轉膠

下圖1中展示了光反應的基本步驟，即光刻膠中的光引發(fā)劑在曝光時(shí)所需的化學(xué)反應：在光輻照下光引發(fā)劑結合水分子并釋放氮氣后轉化為茚羧酸（indene carboxylic acid）。

圖1 光引發(fā)劑在吸收光子后發(fā)生的光化學(xué)反應

SO2-R基團的結合位點(diǎn)決定了光刻膠是對h-線(xiàn)和i-線(xiàn)敏感(結合位點(diǎn)在碳環(huán) “右”側)還是對g-線(xiàn)敏感(結合位點(diǎn)在碳環(huán) “左” 側)。為了增加其在光刻膠中的熱穩定性和溶解度以及增強其作為“抑制劑”(減少暗蝕)的性能，可以將幾個(gè)DNQ-磺酸鹽分子與一個(gè)所謂的主鏈分子結合。

光反應的量子效率定義的光刻膠膜中吸收的每光子光反應數量。充分吸水后DNQ-基光引發(fā)法劑的透明樹(shù)脂，在對應的波長(cháng)(g、h、i線(xiàn)取決于DNQ)下曝光，可達到20 – 30%的量子效率。 

如果在光刻膠膜中只有少量的水(再吸水不足，見(jiàn)光刻膠再吸水)，酮(圖1，中圖)可能會(huì )發(fā)生各種不需要的二次反應(例如與樹(shù)脂酯化或與CO2裂解聚合)。在這兩種情況下，沒(méi)有形成茚羧酸，顯影的速度只能通過(guò)降低抑制劑DNQ的濃度而增加。 

非DNQ-基紫外正膠

在特殊化學(xué)放大光刻膠中，曝光的過(guò)程中不會(huì )形成茚羧酸，而是形成磺酸（sulphonic acid）。光化學(xué)反應不需要水分參與，也不會(huì )釋放氮氣，這使得這種光刻膠的處理比基于DNQ-基的光刻膠更簡(jiǎn)單快速，即使是在非常厚的厚膠情況下也是如此。

紫外負膠交聯(lián)反應

在一些負膠中，如AZ®nLOF 2000系列或AZ®15nxt，曝光會(huì )激活三聚氰胺 （melamine） 交聯(lián)劑，在隨后的烘烤步驟(曝光后烘)中導致短酚醛樹(shù)脂單元（phenolic resin units）與長(cháng)鏈連接。 

部分負膠產(chǎn)品，在曝光開(kāi)始過(guò)程中光聚合丙烯酸單體已經(jīng)在室溫下形成。因此這種光刻膠不需要曝光后烘過(guò)程。