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顯影技術(shù)
點(diǎn)擊量：850 日期：2023-09-04 編輯：硅時(shí)代
顯影是在硅片表面光刻膠中產(chǎn)生圖形的關(guān)鍵步驟。光刻膠上的可溶解區域被化學(xué)顯影劑溶解，將可見(jiàn)的島或者窗口圖形留在硅片表面。最常見(jiàn)的顯影方法是旋轉、噴霧、浸潤，然后顯影。硅片用去離子水沖洗后甩干。顯影過(guò)程如圖 所示，非曝光區的光刻膠由于在曝光時(shí)并未發(fā)生化學(xué)反應，在顯影時(shí)也就不會(huì )存在這樣的酸堿中和，因此非曝光區的光刻膠被保留下來(lái)。經(jīng)過(guò)曝光的正膠是逐漸溶解的，中和反應只在光刻膠的表面進(jìn)行，因此正膠受顯影液的影響相對比較小。對于負膠來(lái)說(shuō)非曝光區的負膠在顯影液中首先形成凝膠體，然后再分解，這就使得整個(gè)負膠層都被顯影液浸透。在被顯影液浸透之后，曝光區的負膠將會(huì )膨脹變形。
顯影后留下的光刻膠圖形將在后續的刻蝕和離子注入工藝中作為掩模，因此，顯影是一步重要的工藝。嚴格的說(shuō)，在顯影時(shí)曝光區和非曝光區的光刻膠都有不同程度的溶解。曝光區與非曝光區的光刻膠溶解速度反差越大，顯影后得到的圖形對比度越高。
顯影液是溶解由曝光造成的光刻膠的可溶解區域的一種化學(xué)溶劑 。對于負顯影工藝，顯影液通常是一種有機溶劑，如二甲苯 。對于正顯影工藝，顯影液是一種用水稀釋的強堿溶液，早期的是氫氧化鉀與水的混合物，但這兩種都包含了可動(dòng)離子玷污(MIC)。最普通的是四甲基氫氧化銨(TMAH) 。
目前歐美和日本企業(yè)憑借技術(shù)優(yōu)勢，占據了濕電子化學(xué)品全球市場(chǎng)主導地位。
雖國內廠(chǎng)商產(chǎn)品主要集中在中低端產(chǎn)品，與世界整體水平還有一定距離，但近年來(lái)包括格林達在內的國內濕電子化學(xué)品企業(yè)持續技術(shù)創(chuàng )新，在細分產(chǎn)品領(lǐng)域具有一定的市場(chǎng)集中度，已接近國際領(lǐng)先水平。
