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濕法刻蝕工藝
點(diǎn)擊量：931 日期：2023-09-12 編輯：硅時(shí)代
干法刻蝕（Dry Etching）是使用氣體刻蝕介質(zhì)。 常用的干法刻蝕方法包括物理刻蝕（如離子束刻蝕）和化學(xué)氣相刻蝕（如等離子體刻蝕）等。
與干法蝕刻相比，濕法刻蝕使用液體刻蝕介質(zhì)，通常是一種具有化學(xué)反應性的溶液或酸堿混合液。 這些溶液可以與待刻蝕材料發(fā)生化學(xué)反應，從而實(shí)現刻蝕。 硅濕法刻蝕是一種相對簡(jiǎn)單且成本較低的方法，通常在室溫下使用液體刻蝕介質(zhì)進(jìn)行。
然而，與干法刻蝕相比，它的刻蝕速度較慢，并且還需要處理廢液。 每個(gè)目標物質(zhì)都需要選擇不同的化學(xué)溶液進(jìn)行刻蝕，因為它們具有不同的固有性質(zhì)。 例如，在刻蝕SiO2時(shí)，主要使用HF； 而在刻蝕Si時(shí)，主要使用HNO3。 因此，在該過(guò)程中選擇適合的化學(xué)溶液至關(guān)重要，以確保目標物質(zhì)能夠充分反應并被成功去除。
“各向同性”和“各向異性”
在介紹濕法蝕刻和干法蝕刻的區別時(shí)，必不可少的詞是“各向同性”和“各向異性”。各向同性是指物質(zhì)和空間的物理性質(zhì)不隨方向變化，各向異性是指物質(zhì)和空間的物理性質(zhì)隨方向不同而不同。各向同性蝕刻是指在某一點(diǎn)周?chē)g刻進(jìn)行相同量的情況，各向異性蝕刻是指蝕刻在某一點(diǎn)周?chē)鶕较虿煌M(jìn)行的情況。例如，在半導體制造過(guò)程中的刻蝕中，往往選擇各向異性刻蝕，以便只刮削目標方向，而留下其他方向。
