MEMS加工技術(shù)有關(guān)的工藝
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日期：2020-02-21
編輯：硅時(shí)代
傳統的制造業(yè)依賴(lài)大量的關(guān)鍵機械設備和有關(guān)的工藝，這些設備和工藝已有幾十年甚至上百年的歷史了。例如鑄造、鍛造、車(chē)削、磨削、鉆孔和電鍍等均是一個(gè)綜合的制造環(huán)境所必不可少的。這些設備和工藝與大量的其它物理和化學(xué)手段及工藝均用作制造環(huán)境的基礎，它們在半導體產(chǎn)業(yè)中均具有其相應的替代技術(shù)。光學(xué)光刻，耦合等離子刻蝕，金屬的濺射涂覆，金屬的等離子體增強化學(xué)汽相淀積和介質(zhì)隔離以及在摻雜工藝中的離子注入和襯底處理，現都已成為集成電路制造中的常規工藝?；陔娮邮瓢婧凸鈱W(xué)投影光刻及電子束直寫(xiě)光刻這種基本的圖形加工技術(shù)現已成為先進(jìn)的納米尺寸作圖技術(shù)的主要角色。上述的這些設備和技術(shù)以及一些還未流行的設備的工藝目前正被用于ＭＥＭＳ的納米技術(shù)制造，且成為微時(shí)代的微機械加工設備，三維微細加工的主要途徑有光刻、準分子激光加工、ＬＩＧＡ、ＵＶ－ＬＩＧＡ、體硅加工技術(shù)和深度反應離子刻蝕等。
從目前看來(lái)，對于大多數半導體產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)，采用光學(xué)光刻分辨力小至３０ ｎｍ的可能性不可排除。其它的一些準備用于光學(xué)加工受到限制的替代技術(shù)有Ｘ射線(xiàn)技術(shù)或極紫外投影光刻，電子束投影光刻（ＳＣＡＬＰＥＬ）以及接近式Ｘ射線(xiàn)光刻。所有這些技術(shù)將與電子束直寫(xiě)系統和聚集離子束系統一起用于納米尺寸光刻，并正在日益進(jìn)入更為寬闊的ＭＥＭＳ的納米技術(shù)應用領(lǐng)域。除了這些粒子束設備以外，基于掃描隧道顯微鏡（ＳＴＭ）原子力顯微鏡（ＡＦＭ）的探針系統也能用于光刻，進(jìn)行分子的原子級材料的加工處理。
從工藝上講，ＭＥＭＳ的制造技術(shù)分為部件及子系統制造工藝和封裝工藝、前者包括半導體工藝、集成光學(xué)工藝、厚薄膜工藝、微機械加工工藝等；后者包括硅加工技術(shù)、激光加工技術(shù)、粘接、共熔接合、玻璃封裝、靜電鍵合、壓焊、倒裝焊、帶式自動(dòng)焊、多芯片組件工藝等。
ＭＥＭＳ與微電子系統比較，區別在于其包含有微傳感器、微執行器、微作用器、微機械器件等的子系統，相對靜態(tài)微器件的系統而言，ＭＥＭＳ的加工技術(shù)難度要高。
ＭＥＭＳ加工技術(shù)是在硅平面技術(shù)的基礎上發(fā)展起來(lái)的，雖然歷史不長(cháng)，但發(fā)展很快，已成為當今最重要的新技術(shù)之一。從目前應用來(lái)看，其加工技術(shù)主要可分為硅基微機械加工技術(shù)和非硅基微機械加工技術(shù)。
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