SLIGA技術(shù)是H.Guckle教授等人結合硅面加工技術(shù)和常規LIGA技術(shù)而開(kāi)發(fā)出的一種新工藝。在這個(gè)工藝中，犧牲層用于加工形成與基片完全相連或部分相連或完全脫離的金屬部件。利用SLIGA技術(shù)可以制造活動(dòng)的微器件。SLIGA工藝流程如圖所示。 工藝過(guò)程為：先在平面基板上布設一層犧牲層材料，如聚酰亞胺、淀積的氧化硅、多晶硅或者某種合適的金屬等，與電鍍的材料相比，這些材料比較容易被有選擇地去除。然后在基片和犧牲層上濺射一層電鍍基底，其后的工藝與常規SLIGA工藝相同。在完成LIGA技術(shù)的微電鑄工藝之后將犧牲層去除，就可獲得可活動(dòng)的微結構。
所謂“表面犧牲層”技術(shù)，即在形成微機械結構的空腔或可活動(dòng)的微結構過(guò)程中，先在下層薄膜上用結構材料淀積所需的各種特殊結構件，再用化學(xué)刻蝕劑將此層薄膜腐蝕掉，但不損傷微結構件，然后得到上層薄膜結構（空腔或微結構件）。由于被去掉的下層薄膜只起分離層作用，故稱(chēng)其為犧牲（sacrificial 1ayer，厚度約1-2μm）。常用的結構材料有多晶硅、單晶硅、氮化硅、氧化硅和金屬等，常用犧牲層材料主要有氧化硅、多晶硅、光刻膠。利用犧牲層可制造出多種活動(dòng)的微結構，如微型橋、懸臂梁及懸臂塊等，此外常被用來(lái)制作敏感元件和執行元件，如諧振式微型壓力傳感器、諧振式微型陀螺、微型加速度計及微型馬達、各種制動(dòng)器等。
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