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微納加工工藝氧化cvd流程圖
點(diǎn)擊量：1915 日期：2020-03-26 編輯：硅時(shí)代
微納加工工藝沉積SiO2薄膜主要通過(guò)氧化和cvd兩種工藝方法。
氧化工藝是在高溫下，襯底的硅直接與O2發(fā)生反應生成SiO2，后續O2通過(guò)SiO2層擴散到Si/SiO2界面，繼續與Si發(fā)生反應增加SiO2薄膜的厚度，生成1個(gè)單位厚度的SiO2薄膜，需要消耗0.445單位厚度的Si襯底；
CVD工藝是氣態(tài)反應物通過(guò)化學(xué)反應，在基片表面生成SiO2薄膜的成膜工藝，其生成的SiO2來(lái)自反應物的化學(xué)反應分解，襯底不參與整個(gè)反應過(guò)程，不會(huì )消耗硅襯底材料；
