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mems器件加工過(guò)程【硅時(shí)代】
點(diǎn)擊量：2858 日期：2020-12-18 編輯：硅時(shí)代
mems器件加工是根據產(chǎn)品需要，在各類(lèi)襯底（硅襯底，玻璃襯底，石英襯底，藍寶石襯底等等）制作微米級微型結構的加工工藝。微納傳感器加工工藝制作的微型結構主要是作為各類(lèi)傳感器和執行器等，其中更加器件原理需要而制作的可動(dòng)結構（齒輪，懸臂梁，空腔，橋結構等等）以及各種功能材料，本質(zhì)上是將環(huán)境中的各種特征參數（溫度，壓力，氣體，流量等等）變化通過(guò)微型結構轉化為各種電信號（電壓，電阻，電流等等）的差異，以實(shí)現小型化高靈敏的傳感器和執行器。
包括以下主要工藝步驟：
首先是薄膜沉積步驟（分為犧牲層和結構層），包括熱氧化，CVD，PVD，蒸發(fā)等常規IC工藝；
其次是定義圖像光刻工藝步驟；
最后是圖形轉移的刻蝕步驟，包括干法刻蝕和濕法刻蝕兩類(lèi)；
以及犧牲層去除的釋放工藝，包括干法釋放和釋放釋放兩類(lèi)
