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mems代工服務(wù) 激光劃片

點(diǎn)擊量：1074 日期：2021-09-09 編輯：硅時(shí)代

　　MEMS代工主要包括微型機構、微型傳感器、微型執行器和相應的處理電路等幾部分， MEMS芯片有的帶有腔體和薄膜、有的帶有懸梁，這些微機械結構容易因機械接觸而損壞、因暴露而沾污，特別是表面工藝加工的器件，在很薄的薄膜上批量加工，結構強度就更低，能承受的機械強度遠遠小于IC芯片?；贛EMS結構和特性，MEMS劃片比起典型的IC劃片或其他微電子元件的劃片更加困難，也對劃片設備和劃片工藝提出了更高的挑戰。
　　傳統的劃片都是通過(guò)劃片砂輪的高速旋轉研磨來(lái)完成對Si片的切斷，這種切割方法必然要伴隨冷卻和清洗的較高壓力的水流、劃片刀和Si片接觸產(chǎn)生的壓力和扭力、以及切割下來(lái)的Si屑對Si片本身造成的污染，而這幾點(diǎn)都對MEMS產(chǎn)品造成了致命的威脅。眾所周知，MEMS大都含有薄膜、高深寬比的結構，無(wú)法抵擋劃片和清洗時(shí)的水流沖擊。此外，MEMS器件中常含有對污染物敏感的元件，只要這些元件受到輕微的污染，就可能導致整個(gè)MEMS的失效（例如MEMS麥克風(fēng)）。

　　隨著(zhù)科技的發(fā)展，越來(lái)越多的新技術(shù)應用到半導體制造設備中來(lái)，特別是激光劃片技術(shù)的成熟應用，促成了MEMS劃片工藝的技術(shù)飛躍，提高了產(chǎn)品的成品率，簡(jiǎn)化了制造流程，降低了MEMS制造的成本。激光的特點(diǎn)使之很適合MEMS劃片。即使其加工速度很快也能確保高品質(zhì)的切割。切割速度受MEMS厚度影響；材料越厚，需要的激光脈沖能量越大。切割某一厚度晶圓的最大速度取決于激光的脈沖重復率、平均功率和峰值功率。再薄也可切，且越薄越快。比較各類(lèi)劃片技術(shù)的另一重要參數是切割邊緣的破壞強度大小，機械變形會(huì )導致晶粒破裂。不少應用表明微水刀激光對晶圓邊緣造成的損傷遠小于傳統刀片劃片。



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