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壓力傳感器mems設計和工藝流程

點(diǎn)擊量：2520 日期：2021-10-21 編輯：硅時(shí)代

　　MEMS壓力傳感器類(lèi)型眾多，其中屬硅壓阻式壓力傳感器和硅電容式壓力傳感器應用最為廣泛，技術(shù)最為成熟。
　　涉及的主要工藝流程包括：薄膜制備、刻蝕、鍵合、封裝。
　　運用到大量且復雜的mems設計工藝技術(shù)，有：薄膜制備技術(shù)、濺射技術(shù)、摻雜技術(shù)、刻蝕技術(shù)、鍵合技術(shù)、封裝技術(shù)等。

　　在實(shí)際操作中，工藝步驟設計應該以簡(jiǎn)單、高成本效益為原則，根據最終設計方案的差異，工藝流程也有不同。

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