欧美黑人又大又粗xxxxx,中文精品久久久久国产,50岁熟妇大白屁股真爽,成人免费毛片内射美女-百度

1. 特征尺寸

特征尺寸又稱(chēng)為線(xiàn)寬(CD, critical dimension)。通常大家聽(tīng)到的7 nm制程、14 nm制程中的7nm和14nm指的便是芯片的線(xiàn)寬。線(xiàn)寬指的是在芯片生產(chǎn)過(guò)程中，能分辨的圖形最小寬度，是衡量制程水平的主要指標。線(xiàn)寬越小，表明分辨率越高，工藝越先進(jìn)。我們知道，光刻是將掩膜版上的條紋(pattern)復制到光刻膠上的過(guò)程。在復制過(guò)程中，受制程條件影響，線(xiàn)寬通常在一定范圍內波動(dòng)，需要通過(guò)設置一定的卡控條件保證線(xiàn)寬在可接受范圍內。對于超過(guò)制程可接受范圍的晶圓采取返工處理。

2. 線(xiàn)寬均勻性

在光刻制程中，光源經(jīng)過(guò)掩膜版是會(huì )發(fā)生衍射，正負一階光乃至高階光中往往含有條紋信息，因此需要采用透鏡匯聚衍射光。而為了保證光刻膠上進(jìn)行成像，需要將晶圓放置于鏡片焦距附近一定范圍內(這個(gè)范圍稱(chēng)為焦深，DOV)，照相需要聚焦也是這個(gè)道理，否則成像模糊。線(xiàn)寬均勻性分為兩類(lèi)：曝光區域內（intra-field）的均勻性和曝光區域之間（inter field）的均勻性。 

曝光區域之間的線(xiàn)寬均勻性，主要是由照明能量的穩定性、硅片襯底膜厚的在硅片表面的分布均勻性（主要是由于涂膠均勻性、其他工藝帶來(lái)的薄膜厚度均勻性）、硅片表面的平整度、顯影相關(guān)烘焙的均勻性、顯影液噴淋的均勻性等。

套刻誤差是指光刻機的工作過(guò)程是這樣的：逐一曝光完硅片上所有的場(chǎng)（field），亦即分步，然后更換硅片，直至曝光完所有的硅片；當對硅片進(jìn)行工藝處理結束后，更換掩模，接著(zhù)在硅片上曝光第二層圖形，也就是進(jìn)行重復曝光。其中，第二層掩模曝光的圖形必須和第一層掩模曝光準確的套疊在一起，故稱(chēng)之為套刻。

導致曝光圖形與參考圖形對準偏差原因很多。掩模變形或比例不正常、晶圓本身的變形、光刻機投影透鏡系統的失真、晶圓工件臺移動(dòng)的不均勻等都會(huì )引入對準偏差。