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微納加工氧化工藝目的-【硅時(shí)代】蘇州納米所微納加工平臺
點(diǎn)擊量：1447 日期：2020-05-22 編輯：硅時(shí)代
微納加工氧化工藝是在高溫下，襯底的硅直接與O2發(fā)生反應生成SiO2，后續O2通過(guò)SiO2層擴散到Si/SiO2界面，繼續與Si發(fā)生反應增加SiO2薄膜的厚度，生成1個(gè)單位厚度的SiO2薄膜，需要消耗0.445單位厚度的Si襯底；
相對CVD工藝而言，氧化工藝可以制作更加致密的SiO2薄膜，有利于與其他材料制作更加牢固可靠的結構層，提高M(jìn)EMS器件的可靠性。
同時(shí)致密的SiO2薄膜有利于提高與其它材料的濕法刻蝕選擇比，提高刻蝕加工精度，制作更加精密的MEMS器件。
同時(shí)氧化工藝一般采用傳統的爐管設備來(lái)制作，成本低，產(chǎn)量大，一次作業(yè)100片以上，SiO2薄膜一致性也可以做到更高+/-3%以?xún)取?
