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  • 通用去膠方案
    通用去膠方案

    2023-08-10

    通用去除劑 在去膠發(fā)生困難的情況下(例如在密集的等離子蝕刻或濺射之后),超聲或兆聲清洗會(huì )對去除光刻膠帶來(lái)很大的幫助。但是,在此過(guò)程中必須保護襯...

  • 蝕刻工藝的精確計時(shí)
    蝕刻工藝的精確計時(shí)

    2023-08-10

    對于更緊密的幾何形狀和更薄的薄膜,需要在蝕刻速率與對其他操作參數的良好控制之間取得平衡。 “隨著(zhù)設計規則的縮小,許多蝕刻工藝正在轉向非??焖俚?..

  • 離子束刻蝕(IBE)技術(shù)研究
    離子束刻蝕(IBE)技術(shù)研究

    2023-08-09

    1.離子束刻蝕(IBE)技術(shù)的原理? 離子束刻蝕(IBE,Ion Beam Etching)也稱(chēng)為離子銑(IBM,Ion Beam Milling),也有人稱(chēng)之為離子濺射刻...

  • 刻蝕剖面 Etch Cross-section
    刻蝕剖面 Etch Cross-section

    2023-08-09

    刻蝕剖面指的是被刻蝕圖形的側壁形狀。有兩種基本的刻蝕剖面:各向同性和各向異性刻蝕剖面。各向同性的刻蝕剖面是在所有方向上(橫向和縱向)以相同的...

  • 針尖光刻技術(shù)
    針尖光刻技術(shù)

    2023-08-08

    我們知道半導體工業(yè)的發(fā)展有一個(gè)很有名的“摩爾定律”,而保證半導體工業(yè)遵循“摩爾定律”發(fā)展的基石是光刻技術(shù)。光刻技術(shù)的發(fā)展始終有都有一個(gè)重要的...

  • 影響刻蝕效果的因素
    影響刻蝕效果的因素

    2023-08-08

    ICP 工藝中影響刻蝕效果的因素很多。工藝參數里包括源功率、偏壓功率、刻蝕氣體及流量、工作氣壓和溫度等。此外,掩膜的制備和反應室內壁的情況對刻...

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