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2023-08-02
1. 特征尺寸 特征尺寸又稱(chēng)為線(xiàn)寬(CD, critical dimension)。通常大家聽(tīng)到的7 nm制程、14 nm制程中的7nm和14nm指的便是芯片的線(xiàn)寬。線(xiàn)寬指的是在...
2023-08-02
1. 直流濺射DCPVD：靶材只能是導體，主要用于沉積金屬柵。DCPVD是利用電場(chǎng)加速帶電離子，使離子和靶材表面原子碰撞，將后者濺射出來(lái)射...
2023-08-01
一、光刻技術(shù)：從接觸式到接近式 接觸式光刻技術(shù)良率低、成本高：接觸式光刻技術(shù)出現于20世紀60年代，是小規模集成電路時(shí)期最主要的光刻技術(shù)。接觸...
2023-08-01
一、電子束蒸發(fā)鍍膜簡(jiǎn)述： 電子束蒸發(fā)鍍膜（Electron Beam Evaporation）是物理氣相沉積的一種，與傳統蒸鍍方式不同，電子束蒸鍍利用電磁場(chǎng)的配合...
2023-07-31
電子束光刻是一個(gè)相當復雜的過(guò)程，其曝光過(guò)程中涉及到電子束與物質(zhì)的作用，這部分我們將在后續的過(guò)程中介紹，這里我們將介紹一下電子束光刻的曝光工藝...
2023-07-31
濺射沉積率是表征成膜速度的參數，其沉積率高低除了與工作氣體的種類(lèi)與壓力、靶材種類(lèi)與“濺射刻蝕區“的面積大小、靶面溫度與靶面磁場(chǎng)強度、靶源與基...
